Abbildung ähnlich
Beschreibung
Ferroelektrischer RAM-Speicher (FRAM) ist dynamischem RAM-Speicher sehr ähnlich, nur mit einer ferroelektrischen Schicht anstatt einer dielektrischen. Das SPI-FRAM-Breakout-Board eignet sich hervorragend für Niederleistungsanwendungen oder Anwendungen mit unbeständiger Spannungsversorgung und Daten loggen bzw. Daten puffern. Speziell dieser FRAM-Chip verfügt über 8 kByte Speicher und eine SPI-Schnittstelle mit einer Taktfrequenz von bis zu 20 MHz. Wie beim SRAM, kann jedes Byte unmittelbar 10 Billionen mal gelesen und geschrieben werden, sondern hält den Speicher 95 Jahre bei Zimmertemperatur. Dieser Chip kann mit 3 V oder 5 V Versorgungspannung und Logikspannung betrieben werden. Der Speicher ist Steckbrett-freundlich ausgeführt mit einem 2,54 mm Raster zum anlöten einer Stiftleiste.