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Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8W TO-261-4

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Art.-Nr.: Q32944
Hersteller-Nr.: BSP149
EAN: 2050000021336

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSP149, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSP149
Gehäuse:
TO-261-4
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
660 mA
U:
200 V
Ptot:
1.8 W
RDS(on):
1.8 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
660 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
400 µA
Q(G):
14 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
C(ISS):
430 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Deleption Mode
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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