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Vishay IRF740SPBF MOSFET 1 N-Kanal 3.1W TO-263-3

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Art.-Nr.: S04929
Hersteller-Nr.: IRF740SPBF
EAN: 2050003222211

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Vishay, IRF740SPBF, IRF740SPBF-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF740SPBF
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
10 A
U:
400 V
Ptot:
3.1 W
R(DS)(on):
550 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
63 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1400 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
400 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Vishay

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Der N-MOSFET-Transistor IRF740SPBF wird auf der Katalogseite mit der Gehäusebauform TO-262 dargestellt. Dabei sind alle drei Anschlüsse gleichlang, keine Befestigungsöse. Dieser Transistor wird in ihrer Datenliste mit Gehäusebauform TO-263 angegeben - so, wie er auch geliefert worden ist. Bei dieser Bauform ist der mittlere Anschluß "D" auf ca. 3mm gekürzt - und der Transistor bekommt seinen "D"-Anschluß über die Kühlfläche. Da der zu reparierende Spannungswandler mit N-MOSFET-Transistoren des Typs JCS740C in Gehäusebauform TO-220C gearbeitet hatte (3 lange Anschlüsse, mit Befestigungsöse), war die Anpassung an den Einbauort etwas komplizierter. Die technischen Daten entsprechen aber den ursprünglichen Bauteilen. Wäre aber besser, wenn der Transistor wie angegeben auch in der Gehäusebauform TO-263 (gekürzter "D"-Anschluss) dargestellt würde - und nicht als Bauform TO-262 (mit drei langen Anschlüssen)

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