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IXYS IXFB70N60Q2 MOSFET 1 N-Kanal 890W PLUS-264

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Art.-Nr.: S81584
Hersteller-Nr.: IXFB70N60Q2
EAN: 2050003205443

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IXYS, IXFB70N60Q2, IXFB70N60Q2-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IXFB70N60Q2
Gehäuse:
PLUS-264
Hersteller:
IXYS
Herst.-Abk.:
IXY
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
70 A
U:
600 V
Ptot:
890 W
R(DS)(on):
88 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
35 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
8 mA
Q(G):
265 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
12000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Serie:
HiPerFET™
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
600 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
IXYS

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