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Infineon Technologies MOSFET IRFB3256PBF 1 N-Kanal 300W TO-220AB

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Art.-Nr.: S81751
Hersteller-Nr.: IRFB3256PBF
EAN: 2050003203135

Produktdaten

Beschreibung

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Infineon Technologies, IRFB3256PBF, International Rectifier, IRFB3256PBF-ND, FET

Technische Daten

Typ:
IRFB3256PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
75 A
U:
60 V
Ptot:
300 W
R(DS)(on):
3.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
150 µA
Q(G):
195 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
6600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
48 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
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