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Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180W TO-220AB

Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180W TO-220AB
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Art.-Nr.: S82026
Hersteller-Nr.: IRF1010NPBF
EAN: 2050003202329

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Infineon Technologies, IRF1010NPBF, International Rectifier, IRF1010NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF1010NPBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
85 A
U:
55 V
Ptot:
180 W
RDS(on):
11 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
43 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
120 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3210 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

Herstellerinformationen

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