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DIODES Incorporated MOSFET ZXMN7A11GTA 1 N-Kanal 2W SOT-223

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Art.-Nr.: S82868
Hersteller-Nr.: ZXMN7A11GTA
EAN: 2050003199957

Produktdaten

Beschreibung

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DIODES Incorporated, ZXMN7A11GTA, ZXMN7A11GCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

Technische Daten

Typ:
ZXMN7A11GTA
Gehäuse:
SOT-223
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
2.7 A
U:
70 V
Ptot:
2 W
R(DS)(on):
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
7.4 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
298 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
40 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
70 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
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