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DIODES Incorporated MOSFET ZVNL120A 1 N-Kanal 700mW TO-92-3

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Art.-Nr.: S82858
Hersteller-Nr.: ZVNL120A
EAN: 2050003199377

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Stichwörter

DIODES Incorporated, ZVNL120A, ZVNL120A-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
ZVNL120A
Gehäuse:
TO-92-3
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
180 mA
U:
200 V
Ptot:
700 mW
R(DS)(on):
10 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
250 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
5 V
U(GS)(th) max.:
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
C(ISS):
85 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
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