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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays MMDT5551-7-F SOT-363 2 NPN

DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays MMDT5551-7-F SOT-363 2 NPN
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Art.-Nr.: S82322
Hersteller-Nr.: MMDT5551-7-F
EAN: 2050003198462

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Stichwörter

DIODES Incorporated, MMDT5551-7-F, MMDT5551-FDICT-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
MMDT5551-7-F
Gehäuse:
SOT-363
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Kategorie:
Transistor (BJT) - Arrays
Kanäle:
2
Ausführung:
NPN
IC:
200 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
160 V
VCE Sättigung (max.):
200 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
50 nA
Ptot:
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
80
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
10 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
300 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
Marke:
DIODES Incorporated

Herstellerinformationen

Folgendes Zubehör wird häufig zu diesem Artikel mitbestellt:

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