Fairchild Semiconductor IGBT HGT1S10N120BNST TO-263AB Einzeln Standard 1200 V

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Art.-Nr.:
A812611
Hersteller-Nr.:
HGT1S10N120BNST
EAN:
2050002650787
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Fairchild Semiconductor, HGT1S10N120BNST, HGT1S10N120BNSTCT-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
HGT1S10N120BNST
Gehäuse:
TO-263AB
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Kategorie:
IGBT
Konfiguration:
Einzeln
Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES):
1200 V
IC:
35 A
I(CM):
80 A
VCE Sättigung (max.):
2.7 V
Ptot:
298 W
Eingangstyp:
Standard
Einschaltverzögerungszeit t(d)(on):
23 ns
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2):
165 ns
Kollektor Reststrom I(CES):
250 µA
Q(G):
100 nC
Ausführung:
NPT
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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