Fairchild Semiconductor MOSFET FQB1P50TM 1 P-Kanal 3.13 W TO-263-3

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Art.-Nr.:
A819761
Hersteller-Nr.:
FQB1P50TM
EAN:
2050002648029

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FQB1P50TM, FQB1P50TMCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FQB1P50TM
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
1.5 A
U:
500 V
Ptot:
3.13 W
R(DS)(on):
10.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
750 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
14 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
QFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
500 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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