Fairchild Semiconductor MOSFET FQAF13N80 1 N-Kanal 120 W TO-3PF

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Art.-Nr.:
A819721
Hersteller-Nr.:
FQAF13N80
EAN:
2050002647978

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FQAF13N80, FQAF13N80-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FQAF13N80
Gehäuse:
TO-3PF
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
8 A
U:
800 V
Ptot:
120 W
R(DS)(on):
750 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
88 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
QFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
800 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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