Fairchild Semiconductor MOSFET FDS6898AZ 2 N-Kanal 900 mW SOIC-8

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Hersteller-Nr.:
FDS6898AZ
EAN:
2050002646254

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Fairchild Semiconductor, FDS6898AZ, FDS6898AZCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Kanäle: 2
Marke: Fairchild Semiconductor
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: SOIC-8
Ausführung: N-Kanal
Serie: PowerTrench®
Transistor-Merkmal: Logic Level Gate
Herst.-Abk.: FSC
Typ: FDS6898AZ
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 1821 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V
I(d): 9.4 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 900 mW
Q(G): 23 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V
R(DS)(on): 14 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 9.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 20 V
U(GS)(th) max.: 1.5 V
U: 20 V
RoHS-konform: Ja

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