Fairchild Semiconductor MOSFET FDP5800 1 N-Kanal 242 W TO-220-3

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Art.-Nr.:
A826931
Hersteller-Nr.:
FDP5800
EAN:
2050002645097

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDP5800, FDP5800-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDP5800
Gehäuse:
TO-220-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
14 + 80 A
U:
60 V
Ptot:
242 W
R(DS)(on):
6 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
80 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
145 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
9160 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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