Fairchild Semiconductor MOSFET FDN335N 1 N-Kanal 460 mW TO-236-3

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Art.-Nr.:
A824311
Hersteller-Nr.:
FDN335N
EAN:
2050002644489

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDN335N, FDN335NCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDN335N
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
1.7 A
U:
20 V
Ptot:
460 mW
R(DS)(on):
70 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
4.5 V
U(GS)(th) max.:
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
310 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
20 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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