Fairchild Semiconductor MOSFET FDD8882 1 N-Kanal 55 W TO-252-3

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Art.-Nr.:
A821801
Hersteller-Nr.:
FDD8882
EAN:
2050002641631

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDD8882, FDD8882CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDD8882
Gehäuse:
TO-252-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
12.6 + 55 A
U:
30 V
Ptot:
55 W
R(DS)(on):
11.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
35 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1260 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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