Fairchild Semiconductor MOSFET FDD86113LZ 1 N-Kanal 3.1 W TO-252-3

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Art.-Nr.:
A821311
Hersteller-Nr.:
FDD86113LZ
EAN:
2050002641488

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDD86113LZ, FDD86113LZFSCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDD86113LZ
Gehäuse:
TO-252-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
4.2 + 5.5 A
U:
100 V
Ptot:
3.1 W
R(DS)(on):
104 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
6 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
285 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
50 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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