Fairchild Semiconductor MOSFET FDC5612 1 N-Kanal 800 mW SOT-23-6

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Art.-Nr.:
A822201
Hersteller-Nr.:
FDC5612
EAN:
2050002640337

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDC5612, FDC5612CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDC5612
Gehäuse:
SOT-23-6
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
4.3 A
U:
60 V
Ptot:
800 mW
R(DS)(on):
55 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
18 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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