Fairchild Semiconductor MOSFET FDB3652 1 N-Kanal 150 W TO-263-3

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Art.-Nr.:
A822921
Hersteller-Nr.:
FDB3652
EAN:
2050002640078

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDB3652, FDB3652CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDB3652
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
9 + 61 A
U:
100 V
Ptot:
150 W
R(DS)(on):
16 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
61 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
53 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
2880 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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