Fairchild Semiconductor MOSFET FDB2614 1 N-Kanal 260 W TO-263-3

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Art.-Nr.:
A822741
Hersteller-Nr.:
FDB2614
EAN:
2050002640016

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDB2614, FDB2614CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDB2614
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
62 A
U:
200 V
Ptot:
260 W
R(DS)(on):
27 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
31 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
99 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
7230 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
PowerTrench®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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