Fairchild Semiconductor MOSFET FDA59N30 1 N-Kanal 500 W TO-3P-3

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Art.-Nr.:
A825671
Hersteller-Nr.:
FDA59N30
EAN:
2050002639744

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDA59N30, FDA59N30-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDA59N30
Gehäuse:
TO-3P-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
59 A
U:
300 V
Ptot:
500 W
R(DS)(on):
56 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
29.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
100 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
4670 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
UniFET™
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
300 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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