MOSFET Infineon Technologies IRLB3034PBF 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

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Art.-Nr.:
Q89985
Hersteller-Nr.:
IRLB3034PBF
EAN:
2050001542045

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRLB3034PBF, International Rectifier, IRLB3034PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRLB3034PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
195 A
U:
40 V
Ptot:
375 W
R(DS)(on):
1.7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
195 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
162 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
10315 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
40 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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