ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung EMD12T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP -

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Art.-Nr.:
Q17313
Hersteller-Nr.:
EMD12T2R
EAN:
2050001281999

Produktdaten

Beschreibung

Doppel Transistor.

Stichwörter

ROHM Semiconductor, EMD12T2R, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
EMD12T2R
Gehäuse:
EMT6
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.:
ROH
Kategorie:
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt + PNP - vorgespannt
IC:
-100 + +100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-50 + +50 V
VCE Sättigung (max.):
-300 + +300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
-500 + +500 nA
Ptot:
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
68 + 68
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-5 + +5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-5 + +5 V
Transitfrequenz f(T):
250 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ROHM Semiconductor

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