ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung DTD143ECT216 TO-236-3 1 NPN - vorgespann

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Art.-Nr.:
Q17325
Hersteller-Nr.:
DTD143ECT216
EAN:
2050001281838

Produktdaten

Beschreibung

Digital Transistor NPN mit BIAS Widerstand.

Stichwörter

ROHM Semiconductor, DTD143ECT216, DTD143ECT216-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
DTD143ECT216
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.:
ROH
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt
IC:
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
500 nA
Ptot:
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
47
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
50 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
200 MHz
Widerstand R(1):
4.7 kΩ
Widerstand R(2):
4.7 kΩ
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ROHM Semiconductor

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