ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung DTC123EUAT106 SC-70 1 NPN - vorgespannt

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Art.-Nr.:
Q17355
Hersteller-Nr.:
DTC123EUAT106
EAN:
2050001281739

Produktdaten

Beschreibung

Digital Transistor NPN mit BIAS Widerstand.

Stichwörter

ROHM Semiconductor, DTC123EUAT106, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
DTC123EUAT106
Gehäuse:
SC-70
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.:
ROH
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt
IC:
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
500 nA
Ptot:
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
20
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
20 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
250 MHz
Widerstand R(1):
2.2 kΩ
Widerstand R(2):
2.2 kΩ
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ROHM Semiconductor

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