Transistor Hexfet Pow.Mosfet Irf3710z To-220

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Art.-Nr.:
Q81220
Hersteller-Nr.:
IRF3710Z
EAN:
2050000052965

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF3710Z, IRF3710Z, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor, unipolar transistor, field-effect transistor, MOSFET, mos-fet, metal oxide semiconductor, transistor MOS, transistor à effet de champ, unipola

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-263-3
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF3710Z
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 2900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 59 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 160 W
Q(G): 120 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 18 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 35 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RoHS-konform: Ja

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