Transistor Igbt Irg4ibc30fd To-220 (Ir)

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Art.-Nr.:
Q85043
Hersteller-Nr.:
IRG4IBC30FD
EAN:
2050000045240

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRG4IBC30FD, IRG4IBC30FD, International Rectifier, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor, bipolar-transisrtor, npn, pnp, Germanium-transistor, silizium-transistor, selen-Transistor, Darlington-Transistor, IGBT, isolated gate bipol

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: IGBT
Eingangstyp: Standard
Konfiguration: Einzeln
Gehäuse: TO-220AB FULLPAK
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRG4IBC30FD
Montageart: Durchführungsloch
Kollektor Reststrom I(CES): 250 µA
IC: 20.3 A
Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 600 V
I(CM): 120 A
Eingangskapazität: 1100 pF
Ptot: 45 W
Q(G): 51 nC
Sperrverzugszeit T(rr): 42 ns
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 230 ns
Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns
VCE Sättigung (max.): 1.8 V
P: 45 W
RoHS-konform: Ja

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