MOSFET Infineon Technologies IRFZ44ES 1 N-Kanal 110W D2PAK

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Art.-Nr.:
Q85418
Hersteller-Nr.:
IRFZ44ES
EAN:
2050000043765

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFZ44ES, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFZ44ES
Gehäuse:
D2PAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
48 A
U:
60 V
Ptot:
110 W
R(DS)(on):
23 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
29 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
60 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1360 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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