Transistor Hexfet Irfz44e To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85413
Hersteller-Nr.:
IRFZ44EPBF
EAN:
2050000043758
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Infineon Technologies, IRFZ44EPBF, International Rectifier, IRFZ44EPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFZ44EPBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
48 A
U:
60 V
Ptot:
110 W
R(DS)(on):
23 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
29 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
60 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1360 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
RDS(on):
0.023 Ω
Marke:
Infineon Technologies

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