Transistor Hexfet Irfs23n20d Hexfet D2pak

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Art.-Nr.:
Q85495
Hersteller-Nr.:
IRFS23N20D
EAN:
2050000043505

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFS23N20D, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFS23N20D
Gehäuse:
D2PAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
24 A
U:
200 V
Ptot:
3.8 W
R(DS)(on):
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
14 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
86 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1960 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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