Transistor Hexfet Irfr9120n D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85479
Hersteller-Nr.:
IRFR9120N
EAN:
2050000043444

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFR9120N, IRFR9120N, International Rectifier, IRFR9120NPBF-ND, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor, unipolar transistor, field-effect transistor, MOSFET, mos-fet, metal oxide semiconductor, transistor MOS, transistor à effet

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-263-3
Ausführung: P-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFR9120N
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 6.6 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 40 W
Q(G): 27 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 480 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U: 100 V
RoHS-konform: Ja

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