Transistor Hexfet Irfr1n60a D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85868
Hersteller-Nr.:
IRFR1N60A
EAN:
2050000043307

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFR1N60A, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFR1N60A
Gehäuse:
DPAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
1.4 A
U:
600 V
Ptot:
36 W
R(DS)(on):
7 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
600 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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