Transistor Hexfet Irfr1n60a D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85868
Hersteller-Nr.:
IRFR1N60A
EAN:
2050000043307

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFR1N60A, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: DPAK
Ausführung: N-Kanal
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFR1N60A
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 1.4 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 36 W
Q(G): 11 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 7 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 600 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U: 600 V
RoHS-konform: Ja

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