Transistor Hexfet Irfr13n20d D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85861
Hersteller-Nr.:
IRFR13N20D
EAN:
2050000043284

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFR13N20D, International Rectifier, IRFR13N20DPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-263-3
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFR13N20D
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 830 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 13 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 110 W
Q(G): 38 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 235 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 200 V
U(GS)(th) max.: 5.5 V
U: 200 V
RoHS-konform: Ja

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