Transistor Hexfet Irfr1205 D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85865
Hersteller-Nr.:
IRFR1205
EAN:
2050000043260

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFR1205, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFR1205
Gehäuse:
DPAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
44 A
U:
55 V
Ptot:
107 W
R(DS)(on):
27 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
26 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
65 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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