Transistor Hexfet Irfp3710 To-247 Ir

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Art.-Nr.:
Q85832
Hersteller-Nr.:
IRFP3710PBF
EAN:
2050000042997

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, IRFP3710PBF, International Rectifier, IRFP3710PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFP3710PBF
Gehäuse:
TO-247-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
57 A
U:
100 V
Ptot:
200 W
R(DS)(on):
25 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
28 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
190 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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