Transistor Hexfet Irfl4105 Sot-223

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Art.-Nr.:
Q85827
Hersteller-Nr.:
IRFL4105PBF
EAN:
2050000042799

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFL4105PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: SOT-223
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFL4105PBF
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 3.7 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1 W
Q(G): 35 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 45 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 55 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RDS(on): 0.045 Ω
RoHS-konform: Ja

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