MOSFET Infineon Technologies IRFD9120PBF 1 P-Kanal 1.3W HEXDIP

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Art.-Nr.:
Q85309
Hersteller-Nr.:
IRFD9120PBF
EAN:
2050000042461

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFD9120PBF, International Rectifier, IRFD9120PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFD9120PBF
Gehäuse:
HEXDIP
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
1 A
Ptot:
1.3 W
R(DS)(on):
600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
18 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
390 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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