Transistor Hexfet Irfd120 Hexfet Hexdip (Ir)

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Art.-Nr.:
Q85362
Hersteller-Nr.:
IRFD120PBF
EAN:
2050000042416

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFD120PBF, International Rectifier, IRFD120PBF-ND, FET

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFD120PBF
Gehäuse:
HEXDIP
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
1.3 A
Ptot:
1.3 W
R(DS)(on):
270 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
780 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
16 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
360 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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