Transistor Hexfet Irfbg30 To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85346
Hersteller-Nr.:
IRFBG30PBF
EAN:
2050000042362

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Vishay, IRFBG30PBF, IRFBG30PBF-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFBG30PBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
3.1 A
Ptot:
125 W
R(DS)(on):
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
80 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
980 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
1000 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Vishay
RDS(on):
5 Ω

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