Transistor Hexfet Irfb9n65a To-220

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Art.-Nr.:
Q85382
Hersteller-Nr.:
IRFB9N65APBF
EAN:
2050000042218

Produktdaten

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFB9N65APBF, International Rectifier, IRFB9N65APBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFB9N65APBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
8.5 A
Ptot:
167 W
R(DS)(on):
930 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
5.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
48 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1417 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
650 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
RDS(on):
0.9 Ω

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