Transistor Hexfet Irf9953 So-8 Ir

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Art.-Nr.:
Q85313
Hersteller-Nr.:
IRF9953
EAN:
2050000042058

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF9953, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF9953
Gehäuse:
SO-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
2.3 A
Ptot:
2 W
R(DS)(on):
250 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
12 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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