Transistor Hexfet Irf830 To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85355
Hersteller-Nr.:
IRF830PBF
EAN:
2050000041846

Produktdaten

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Stichwörter

Vishay, IRF830PBF, IRF830IR-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Vishay
Kanäle: 1
Marke: Vishay
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: N-Kanal
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: VIS
Typ: IRF830PBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 610 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 4.5 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 74 W
Q(G): 38 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 1.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 500 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RoHS-konform: Ja

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