Transistor Hexfet Irf830 To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85355
Hersteller-Nr.:
IRF830PBF
EAN:
2050000041846

Produktdaten

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Stichwörter

Vishay, IRF830PBF, IRF830IR-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF830PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
4.5 A
Ptot:
74 W
R(DS)(on):
1.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
38 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
610 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
500 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Vishay

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