Transistor Hexfet Irf7459 So-8

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Art.-Nr.:
Q85161
Hersteller-Nr.:
IRF7459
EAN:
2050000041709

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF7459, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: SO-8
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF7459
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 2480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V
I(d): 12 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 2.5 W
Q(G): 35 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V
R(DS)(on): 9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 12 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 20 V
U(GS)(th) max.: 2 V

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