MOSFET Infineon Technologies IRF7457 1 N-Kanal 2.5W SO-8

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Art.-Nr.:
Q85165
Hersteller-Nr.:
IRF7457
EAN:
2050000041686

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF7457, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF7457
Gehäuse:
SO-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
15 A
Ptot:
2.5 W
R(DS)(on):
7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
15 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
42 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
3100 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
20 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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