Transistor Hexfet Irf7309 So-8 Ir

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Art.-Nr.:
Q85116
Hersteller-Nr.:
IRF7309
EAN:
2050000041365

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF7309, International Rectifier, IRF7309PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF7309
Gehäuse:
SOIC-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal + P-Kanal
I(d):
4 + 3 A
Ptot:
1.4 W
R(DS)(on):
50 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
520 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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