Transistor Hexfet Irf7103 So-8 Ir

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Art.-Nr.:
Q85129
Hersteller-Nr.:
IRF7103PBF
EAN:
2050000041228

Produktdaten

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF7103PBF, International Rectifier, IRF7103PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF7103PBF
Gehäuse:
SO-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
3 A
Ptot:
2 W
R(DS)(on):
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
290 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
50 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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