Transistor Hexfet Irf710 To-220

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Art.-Nr.:
Q85150
Hersteller-Nr.:
IRF710PBF
EAN:
2050000041204

Produktdaten

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Stichwörter

Vishay, IRF710PBF, IRF710-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF710PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
2 A
Ptot:
36 W
R(DS)(on):
3.6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
170 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
400 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Vishay

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