Transistor Hexfet Irf630n To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85159
Hersteller-Nr.:
IRF630N
EAN:
2050000041129

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF630N, International Rectifier, IRF630NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-263-3
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF630N
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 575 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 9.3 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 82 W
Q(G): 35 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 5.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 200 V
U(GS)(th) max.: 4 V
Rth max.: 1.83 °C/W
RDS(on): 0.3 Ω
RoHS-konform: Ja

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