Transistor Hexfet Irf5210 To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85178
Hersteller-Nr.:
IRF5210PBF
EAN:
2050000040986

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF5210PBF, International Rectifier, IRF5210PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF5210PBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
40 A
Ptot:
200 W
R(DS)(on):
60 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
24 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
180 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
2700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
Rth max.:
0.75 °C/W

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