Transistor Hexfet Irf3707s D2pak

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Art.-Nr.:
Q85202
Hersteller-Nr.:
IRF3707S
EAN:
2050000040863

Produktdaten

Beschreibung

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Infineon Technologies, IRF3707S, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF3707S
Gehäuse:
D2PAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
62 A
Ptot:
87 W
R(DS)(on):
12.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
15 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
1990 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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